RRAM , o sucessor da nand Flash, o futuro do armazenamento

brruno

Banido
Acabei de me deparar com uma notica deste novo tipo de armazenamento não conhecia mas o futuro parece promisor, não sei como é que não tem tido mais atenção, e ao que parece já está ai a chegar..


site official da empresa http://www.crossbar-inc.com/



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http://www.pcworld.com/article/2045...pits-rram-against-dram-and-flash-storage.html

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http://www.theregister.co.uk/2013/08/05/crossbar_uncloaks_fast_tiny_capacious_rram_part/

2013-08-05_09-21-26.jpg

E o facto de se poder montar camadas em cima de camadas ao contratio da actual nand permite optimizar ainda mais no que toca ao volume.
http://www.techspot.com/news/53497-new-resistive-ram-packs-1-tb-of-storage-into-a-single-chip.html

A Panasonic anunciou que está a preparar-se para lançar o primeiro produto com este novo tipo de armazenamento no proximo mes
http://www.theregister.co.uk/2013/07/31/panasonic_claims_first_reramequipped_comercial_product/

Esta versão da Crossbar não é a RRAM com maior performance mas usa tecnologia e materiais que existem nas fabricas actuais permitindo que chegue ao mercado mais rapidamente e barato pois não é preciso ciar uma fabrica nova mas ainda assim só deverá estar disponivel para consumidores só lá para 2016 (a não ser que haja grandes investimentos nesta tecnologia)


Summary: Flash, despite its vast success, is hardly an ideal storage medium - for one thing it gets slower and more fragile as it shrinks - so many expect resistance RAM - ReRAM - to win long term. Crossbar announces the first ReRAM that could replace flash.

Crossbar, a start up in California, announced today their resistance RAM or ReRAM product. Their nonvolatile memory technology promises several advances:

- Up to 1 TB of storage on a single chip
- Simple 3-D stacking for multiple terabytes
- Very low-power that helps extend battery life
- 20x faster writes than NAND flash
- Low-cost manufacturability - CMOS compatible process
- Half the dice size of current flash


The key is their simple electrical structure. They have a three-layer silicon-based material consisting of a top electrode, switching medium, and a bottom electrode.

Voltage across electrodes creates a filament across the electrodes that stores data. The filament is very small – on the order of 10 nm – so it can adjust to shrinking features sizes. Crossbar claims a 10 year retention at under 125°C and 10,000 write cycles for each cell.

10k may not sound like a large number, but it is 10 times the write performance of current multilevel cell flash. Using well-understood life-extending technologies from the flash world, the effective rate life will be over 10 times that.

Even better: the write speed is 20 times that of flash. That eliminates many of the issues that the bedevil flash controllers today. It also means the controllers should cost significantly less.

The Storage Bits take
There are variety of resistance RAM technologies vying for takeoff. Some promise very fast writes and long endurance but are not easily manufacturable.

Given the huge investments in current fab capacity – a state-of-the-art fab can cost $5 billion – the most important success factor is that it be manufacturable using today's technologies and materials. That's the approach that Crossbar has taken and it bodes well for their ability to come to market quickly at a competitive price.

Once they got off the ground we may be carrying phones with a terabyte of permanent storage. But their rollout strategy is conservative so unless Apple or Samsung buys them and pumps billions into the tech, don't expect to see consumer ReRAM products until 2016.

But its something to look forward to!

http://www.zdnet.com/flash-successor-announced-7000018981/

NAND-vs-RRAM1-635x226.jpg


Crossbar-Feature-640x353-635x350.jpg


http://wccftech.com/ram-memory-revolution-arrives-crossbars-reram/
 
Última edição:
Parece interessante, falta descobrir a parte negativa da tecnologia...
Apresar de ser também mais barato de produzir, isto depois deve implicar pagar royalties à empresa que inventou isto, podendo até nem compensar.

Mas vamos ver, pode mesmo ter sucesso no mercado.
 
eles dizem que o preço/B vai ser mais baixo...
Isto porque esta ReRAM que eles desenharam pode ser construida nas fabricas actuais, não sendo preciso grande investimento para começar a produzir..
 
Última edição pelo moderador:
eles dizem que o preço/B vai ser mais baixo...
Isto porque esta ReRAM que eles desenharam pode ser construida nas fabricas actuais, não sendo preciso grande investimento para começar a produzir..

Quando vier para o mercado é que vou ver, já sabes como é nas novidades...

Talvez pode ser que os preços dos SSD entre em Saldos, se isto for avante.

Cá fico a espera para um bichinho desses, espero que não haja problemas de controladores como houve nos SSD.
 
Os pontos principais que já disseram são:

1- Quanto tempo é que vai demorar a ser lançado.
2- Qual o custo por GB.

As vantagens parecem ser muitas.
 
A RAM volátil não tem limite de ciclos de escrita, por isso não deve ser bem a mesma coisa. Também gostava de ver a fiabilidade de longo prazo, se dura 10 anos a 125ºC pode ser uma solução de armazenamento de longo prazo.
 
Então como é que não é volátil?

Estão usar a velocidade e o armazenamento género da ram, mas ainda estou a tentar compreender como é não volátil...

Eles dizem isto "Recognizing the limitations in traditional non-volatile flash memory products, Crossbar has developed a game-changing, new class of non-volatile memory storage based upon resistive RAM (RRAM) technology – a technology generally accepted as the most likely to win in the future. Crossbar shatters the traditional barriers of scaling non-volatile memory."


Acho que os tempos de acesso devem ser muito mais rápidos do que os actuais SSD
 
é RAM não volatil , RRAM - Resiste RAM

The resistance switching mechanism is based on the formation of a filament in the switching material when a voltage is applied between the two electrodes. This simple and very scalable memory cell structure enables an entirely new class of RRAM, which can be easily incorporated into the back-end-of-line of any standard CMOS manufacturing fab.

technology1.jpg
 
Ya é isso, postei e nem li em condições lol.

Mas isto só deve então chegar lá para 2016 o que ainda falta 3 anos.
 
Pois era o que pensava. Agora o ponto onde eu quero chegar: quem é que são os fabricantes de NAND e quem são os fabricantes de RAM?

Excluindo a Toshiba/(Sandisk) que creio não fabrica RAM, quem são os fabricantes de NAND que sobram? Samsung, SK Hynnix e Micron/(Intel).
Quem são os fabricante de RAM? Samsung, SK Hynnix e Micron. A Micron acabou de ver aprovada a compra da Elpida, e além disso juntamente com a Nanya dividem a capacidade de produção da Inotera, o que não deixa muitas companhias a produzir RAM, sobra a Nanya e mais algumas empresas de menor dimensão de Taiwan, como a Winbond e Powerchip as quais estão com a corda na garganta apesar do preço da RAM ter subido. A Powerchip até creio que vendeu algum equipamento à Globalfoundries.
Estão a ver onde é que esta conversa vai parar?

Existe um claro conflito de interesse, até ao momento o fabrico de NAND tem sido um investimento prioritário para estas empresas porque garante melhor retorno, em caso de dúvida:

2ns6edi.jpg


NOTA: However, it should be noted that the conversion of Japanese company semiconductor sales from yen to U.S. dollars, at 95.47 yen per dollar in 1H13 versus 79.70 yen per dollar in 1H12, had a significant impact on the sales figures for the Japanese companies.

http://www.electroiq.com/articles/s...to-top-20-semiconductor-supplier-ranking.html

A não ser que esta tecnologia garanta um retorno significativo aos fabricantes, não me parece que tenha grande futuro.
 
Completando o post anterior:

NAND Prices Surging

NAND prices are surging, reports TrendForce, with Q2 shipments of $5.775 billion, an 11.2% QoQ and over 30% YoY increase.
With the industry down to four main players, price rises were generally foreseen.

Samsung was No.1 with $2184 million, 37.8% market share;
Toshiba was second with $1,659 million, 28.7% of the market;
Hynix was third with $840 million, 14.5% of the market.
Micron was fourth at $678 million;
Intel was fifth with $413 million, 7.2% of the market.
http://www.electronicsweekly.com/mannerisms/memory/nand-prices-surging-2013-08/



DRAM Prices to Rise 40% in 2013

The average selling price of DRAMs is set to jump 40 percent in 2013, according to market research company IC Insights. The DRAM market is forecast to reach $33.7 billion in 2013, annual growth of 28 percent, despite declining unit shipments compared with 2013, due to the weak personal computer market, the market research firm said in a press release.


There are three major suppliers of DRAM -- Samsung, SK Hynix, and Micron, which recently closed its acquisition of Japan's Elpida. Capital expenditures on DRAM production are forecast to be $4.0 billion, which as a proportion of sales would represent an all-time low of 11.9 percent.

IC Insights' point of view is supported by DRAMexchange, a division of market research firm TrendForce. The average price of 4-Gbyte DRAM modules rose by 16 percent in the second quarter, from $23.50 to $27.25, DRAMexchange said in a bulletin. DRAM manufacturers' second quarter 2013 revenue was $8.53 billion, and the firm expects this to increase in the third quarter.
Korean manufacturers Samsung and SK Hynix had a combined market share of 62.7 percent in the second quarter, DRAMexchange said.
http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1319166&
 
Sabem quando estará disponível esta tecnologia (2016)? É que estava a pensar em comprar um SSD, mas como não tenho pressa espero pelo aparecimento disto :), se tiver velocidades parecidas com a ram normal então é super veloz (eu só peço metade ou nem isso, pois não se deve ver a diferença, só a passar ficheiros).
 
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