novo tipo de construção de memórias: memristor
Investigadores da HP deram mais um pequeno passo no desenvolvimento de uma nova geração de dispositivos de memória, memristores ao conseguirem produzir um mapa do que se passa dentro do componente em funcionamento. O sector já vê este tipo de dispositivo, a ser lançado durante 2013, como potencial substituto das memórias Flash e DRAM.
Num artigo da revista
“Nanotechnology”, os investigadores explicam que a HP conseguiu delinear o funcionamento eléctrico dentro do componente. Anteriormente, embora os memristores tenham sido desenvolvidos em laboratório, os cientistas não sabiam exactamente o que acontecia dentro das estruturas minúsculas do dispositivo. E embora a HP estivesse confiante na comercialização do componente, mesmo assim, a descoberta permitirá melhorar o referido funcionamento, acredita Stan Williams, investigador sénior da HP.
Os dispositivos foram inicialmente descritos em 1971 por um professor da Universidade da Califórnia, em Berkeley. Antes desta descoberta, os cientistas conheciam apenas três elementos básicos do circuito: resistência, capacitador e indutor. O professor Leon Chua postulou que poderia haver um quarto.
Décadas mais tarde, os investigadores da HP demonstraram a possibilidade de os memristores existirem. E mais, provaram como estes poderiam alternar entre dois ou mais níveis de resistência eléctrica, permitindo-lhes representar os uns e zeros usados na computação digital.
Os cientistas sabiam que o processo de transferência era realizado, mas tiveram muita dificuldade em realizar uma análise aprofundada, devido às dimensões reduzidas dos componentes. O desenvolvimento mais recente da HP, a este respeito, foi ter conseguido utilizar raios-X altamente concentrados para abrir um canal, de cem nanómetros, onde a alternância de resistência tinha lugar.
Depois, traçaram a estrutura e determinaram a química dessa abertura, obtendo assim uma melhor ideia sobre o funcionamento dos memristores. O artigo foi publicado em conjunto pela HP e a Universidade de Santa Barbara, na Califórnia.
O tipo de memória que pode ser construído com memristores, a ReRAM, não é volátil. Isso significa que esses dispositivos podem manter os seus dados mesmo depois de desligada a fonte de alimentação. Trata-se de uma clara diferença de memória face às DRAM, nas quais os dados armazenados são perdidos quando a energia é desligada.
Williams acredita que a tecnologia memristor da HP pode estar comercialmente disponível em meados de 2013, mas “não é uma promessa da HP mas como funcionário da empresa”, ressalvou.
A HP desenvolveu dispositivos nos seus laboratórios capazes de suportar densidades de armazenamento na ordem dos 12 Gb por polegada quadrada. Além disso, Williams anunciou que está a usar um processo de produção de 15 nanómetros e uma arquitectura de múltiplos níveis, na qual haverá quatro camadas de células de memória empilhadas.
Os memristores constituem um de vários tipos de memória a serem desenvolvidos como possíveis substitutos para as Flash e DRAM. As memórias serão as primeiras a atingir os seus limites de densidade. Williams prevê que isso acontecerá em uma ou duas gerações de produto, cerca de quatro anos no máximo.
As DRAM vão ter “mais algumas gerações” antes de atingir os seus limites físicos. Contudo, segundo Williams, os fabricantes de memórias podem conseguir ter essas gerações em utilização durante mais tempo do que os 18 meses ou dois anos actuais.
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