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A IBM anunciou hoje o que afirma ser "o transístor de silício mais rápido do mundo", informou a C|NET. Esse dispositivo poderá levar os sistemas de comunicação de maior desempenho a atingir a velocidade de 100 GHz no prazo de dois anos.
O transístor hoje apresentado pela IBM representa um crescimento de 80 por cento no desempenho e uma redução de 50 por cento do consumo de energia, em comparação com os modelos actuais. O protótipo em si pode funcionar a 210 GHz ou mil milhões de ciclos por segundo, muito para além das velocidades alcançáveis pelos sistemas de comunicações ou os computadores desktop de hoje.
Para obter estes resultados, a IBM aperfeiçoou a sua técnica de produção baseada no material germânio de silício. Desta forma, conseguiu produzir um modelo bastante mais fino do que os actuais. Como resultado, a informação pode viajar mais rapidamente ou à mesma velocidade, utilizando muito menos energia. Outra vantagem é que com este material, os fabricantes de chips poderão evitar utilizar cada vez mais materiais raros na produção de chips.
Os transístores de germânio de silício são normalmente empregues em aplicações de de comunicações, como sistemas de fibra óptica de alta rapidez e telefones sem fios avançados. Apesar de a empresa trabalhar com este material já há mais de dez anos, este último avanço permite a construção de transístores - os blocos de construção dos chips - que têm apenas uma espessura de 100 a 200 átomos na base.
Os primeiros processadores a tirarem partido da nova tecnologia serão os chips de para redes que ajudam a conduzir os dados fora e dentro das linhas de fibra óptica. Estes chips também poderão ser integrados em telemóveis, em particular, nos componentes rádio, quando utilizados a níveis reduzidos de energia.
Artigo
O transístor hoje apresentado pela IBM representa um crescimento de 80 por cento no desempenho e uma redução de 50 por cento do consumo de energia, em comparação com os modelos actuais. O protótipo em si pode funcionar a 210 GHz ou mil milhões de ciclos por segundo, muito para além das velocidades alcançáveis pelos sistemas de comunicações ou os computadores desktop de hoje.
Para obter estes resultados, a IBM aperfeiçoou a sua técnica de produção baseada no material germânio de silício. Desta forma, conseguiu produzir um modelo bastante mais fino do que os actuais. Como resultado, a informação pode viajar mais rapidamente ou à mesma velocidade, utilizando muito menos energia. Outra vantagem é que com este material, os fabricantes de chips poderão evitar utilizar cada vez mais materiais raros na produção de chips.
Os transístores de germânio de silício são normalmente empregues em aplicações de de comunicações, como sistemas de fibra óptica de alta rapidez e telefones sem fios avançados. Apesar de a empresa trabalhar com este material já há mais de dez anos, este último avanço permite a construção de transístores - os blocos de construção dos chips - que têm apenas uma espessura de 100 a 200 átomos na base.
Os primeiros processadores a tirarem partido da nova tecnologia serão os chips de para redes que ajudam a conduzir os dados fora e dentro das linhas de fibra óptica. Estes chips também poderão ser integrados em telemóveis, em particular, nos componentes rádio, quando utilizados a níveis reduzidos de energia.
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