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"A Samsung Electronics, anunciou o novo modulo de memória DDR DIMM de 4Gbyte, o primeiro da indústria, que integra 36 componentes de 1Gb DDR synchronous DRAM (SDRAM) alcançando uma densidade de 4GByte.
O novo 4GByte DDR DIMM baseia-se na tecnologia 0.10-micron da Samsung para componentes 1Gb DDR SDRAM, os quais oferecem performances de 266Mbps até 333Mbps, estando disponível nas configurações -x4, -x8, e -x16 bit compatíveis com os pacotes standard 400mil TSOP2.
A companhia coreana desenvolveu o primeiro 1Gb DDR SDRAM em Dezembro de 2002 e as amostras foram logo enviadas para os produtores de grandes sistemas, prevendo-se a produção em massa no segundo semestre de 2003.
A Samsung lidera o Mercado global de soluções avançadas de memórias, incluindo soluções de alta velocidade DDR333 e DDR400 e densidades 512Mb e 1Gb."
Fonte: InfoDesktop
O novo 4GByte DDR DIMM baseia-se na tecnologia 0.10-micron da Samsung para componentes 1Gb DDR SDRAM, os quais oferecem performances de 266Mbps até 333Mbps, estando disponível nas configurações -x4, -x8, e -x16 bit compatíveis com os pacotes standard 400mil TSOP2.
A companhia coreana desenvolveu o primeiro 1Gb DDR SDRAM em Dezembro de 2002 e as amostras foram logo enviadas para os produtores de grandes sistemas, prevendo-se a produção em massa no segundo semestre de 2003.
A Samsung lidera o Mercado global de soluções avançadas de memórias, incluindo soluções de alta velocidade DDR333 e DDR400 e densidades 512Mb e 1Gb."
Fonte: InfoDesktop
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